核心技術(shù)與應(yīng)用
銅箔基礎(chǔ)理論及微觀研究
電解銅箔的性能受自身晶體結(jié)構(gòu)的影響，而通過(guò)電解過(guò)程添加劑的合理調(diào)控，可以改變銅沉積的反應(yīng)電位，影響銅箔的微觀結(jié)構(gòu)和形貌。
德?？萍纪ㄟ^(guò)數(shù)十年的技術(shù)沉淀，重點(diǎn)突破了微觀晶粒特性的物性關(guān)聯(lián)、材料應(yīng)力及彈性模量特性研究、銅箔粗糙度理論模型等重點(diǎn)課題。
超微細(xì)粗化
添加劑技術(shù)
針對(duì)PCB板的輕薄化發(fā)展趨勢(shì)和高頻高速線路的低傳輸損耗特征，開(kāi)發(fā)了高分子聚合物類添加劑，從而達(dá)到對(duì)銅箔表面銅瘤定制化設(shè)計(jì)的目的，該技術(shù)同時(shí)兼顧低粗糙度、足夠抗剝離強(qiáng)度成為銅箔制造技術(shù)的關(guān)鍵。
低鐵磁性阻擋層
電沉積技術(shù)
電子電路銅箔的金屬阻擋層中存在阻礙信號(hào)傳輸?shù)囊蜃?，在高速PCB中這類影響會(huì)被進(jìn)一步放大。針對(duì)這一現(xiàn)象，開(kāi)發(fā)了低鐵磁性的金屬阻擋層，一定程度上降低了信號(hào)傳輸過(guò)程中的損失。
硅烷偶聯(lián)劑
適配技術(shù)
根據(jù)客戶需求，針對(duì)性開(kāi)發(fā)硅烷偶聯(lián)劑適配技術(shù)，提升了銅
箔與不同種類高頻高速樹脂基材的化學(xué)結(jié)合性能。